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硅粉痕量雜質(zhì)GDMS檢測(cè)

發(fā)布時(shí)間:2025-11-11

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來(lái)源:北京中科光析科學(xué)技術(shù)研究所

文章簡(jiǎn)介:

硅粉痕量雜質(zhì)GDMS檢測(cè)采用輝光放電質(zhì)譜法,針對(duì)高純硅材料中微量及痕量元素進(jìn)行定性定量分析。檢測(cè)過(guò)程涵蓋樣品制備、儀器參數(shù)設(shè)定、校準(zhǔn)曲線建立、數(shù)據(jù)采集與處理等關(guān)鍵環(huán)節(jié),確保檢測(cè)限低至ppb級(jí)別,結(jié)果準(zhǔn)確可靠。
點(diǎn)擊咨詢

因業(yè)務(wù)調(diào)整,部分個(gè)人測(cè)試暫不接受委托,望見(jiàn)諒。

檢測(cè)項(xiàng)目

硼元素檢測(cè):通過(guò)GDMS分析硅粉中硼雜質(zhì)含量,硼元素會(huì)影響半導(dǎo)體材料的電學(xué)性能,檢測(cè)限需達(dá)到亞ppb級(jí)別以確保高純硅質(zhì)量。

磷元素檢測(cè):測(cè)定硅粉中磷雜質(zhì)的濃度,磷作為摻雜劑需嚴(yán)格控制含量,避免影響硅材料的導(dǎo)電性和器件性能。

砷元素檢測(cè):檢測(cè)硅粉中砷痕量雜質(zhì),砷元素具有毒性且可能改變材料特性,需精確量化以保障材料安全性。

鐵元素檢測(cè):分析硅粉中鐵雜質(zhì)含量,鐵元素可能導(dǎo)致硅材料產(chǎn)生缺陷,影響其機(jī)械強(qiáng)度和電學(xué)特性。

鈣元素檢測(cè):測(cè)定硅粉中鈣雜質(zhì)的濃度,鈣元素可能引入非金屬夾雜,需監(jiān)控以防止材料純度下降。

鎂元素檢測(cè):檢測(cè)硅粉中鎂痕量雜質(zhì),鎂元素的存在會(huì)影響硅的結(jié)晶過(guò)程,需保持低含量以確保材料均勻性。

鋁元素檢測(cè):通過(guò)GDMS量化硅粉中鋁雜質(zhì),鋁元素可能形成氧化物影響硅的純度和電性能。

鈦元素檢測(cè):分析硅粉中鈦雜質(zhì)含量,鈦元素作為常見(jiàn)污染物需嚴(yán)格控制,以避免材料機(jī)械性能退化。

錳元素檢測(cè):測(cè)定硅粉中錳雜質(zhì)的濃度,錳元素可能引入磁性干擾,需檢測(cè)以確保材料在電子應(yīng)用中的穩(wěn)定性。

銅元素檢測(cè):檢測(cè)硅粉中銅痕量雜質(zhì),銅元素易導(dǎo)致硅材料產(chǎn)生位錯(cuò),影響其可靠性和使用壽命。

檢測(cè)范圍

太陽(yáng)能級(jí)多晶硅:用于光伏電池制造的高純硅材料,需檢測(cè)痕量雜質(zhì)以保障光電轉(zhuǎn)換效率和長(zhǎng)期穩(wěn)定性。

電子級(jí)單晶硅:半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)材料,要求雜質(zhì)含量極低,GDMS檢測(cè)確保其電學(xué)性能符合集成電路標(biāo)準(zhǔn)。

硅基納米粉末:應(yīng)用于新能源和復(fù)合材料領(lǐng)域,需精確分析雜質(zhì)以控制顆粒尺寸和表面特性。

硅合金材料:用于特種冶金和涂層技術(shù),雜質(zhì)檢測(cè)有助于優(yōu)化合金成分和機(jī)械性能。

硅化學(xué)氣相沉積產(chǎn)物:在半導(dǎo)體工藝中生成的硅薄膜,需監(jiān)控雜質(zhì)以防止器件失效和污染。

硅溶膠和凝膠:用于催化劑和涂層制備,痕量雜質(zhì)影響其分散性和反應(yīng)活性。

高純硅靶材:應(yīng)用于濺射鍍膜工藝,雜質(zhì)檢測(cè)確保薄膜均勻性和附著力。

硅聚合物復(fù)合材料:用于電子封裝和絕緣材料,需分析雜質(zhì)以維持熱穩(wěn)定性和電絕緣性。

硅基陶瓷材料:在高溫結(jié)構(gòu)應(yīng)用中,雜質(zhì)檢測(cè)有助于評(píng)估材料耐腐蝕性和強(qiáng)度。

硅生物醫(yī)學(xué)材料:用于植入器件和藥物載體,需嚴(yán)格檢測(cè)雜質(zhì)以保證生物相容性和安全性。

檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)

ASTM E1251-2017《輝光放電質(zhì)譜法分析高純金屬的標(biāo)準(zhǔn)指南》:提供了GDMS檢測(cè)的基本流程和參數(shù)設(shè)置,適用于硅粉中痕量雜質(zhì)的定性和定量分析。

ISO 14707:2015《表面化學(xué)分析-輝光放電發(fā)射光譜法》:國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)涵蓋GDMS技術(shù)規(guī)范,用于硅材料雜質(zhì)檢測(cè)的校準(zhǔn)和質(zhì)量控制。

GB/T 20975-2020《鋁及鋁合金化學(xué)分析方法》:國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)中部分內(nèi)容涉及硅材料雜質(zhì)檢測(cè),可作為GDMS分析的參考依據(jù)。

ISO 18JianCe:2019《表面化學(xué)分析-二次離子質(zhì)譜法》:雖非GDMS專用,但提供痕量分析通用原則,適用于硅粉雜質(zhì)檢測(cè)的交叉驗(yàn)證。

GB/T 14849-2018《工業(yè)硅化學(xué)分析方法》:規(guī)定了硅材料中多種元素的檢測(cè)方法,GDMS可作為高精度補(bǔ)充技術(shù)。

檢測(cè)儀器

輝光放電質(zhì)譜儀:核心儀器利用輝光放電產(chǎn)生離子源,實(shí)現(xiàn)硅粉中痕量雜質(zhì)的質(zhì)譜分析,檢測(cè)限可達(dá)ppt級(jí)別,適用于多元素同步檢測(cè)。

高純氬氣供應(yīng)系統(tǒng):提供穩(wěn)定的惰性氣體環(huán)境,確保GDMS放電過(guò)程不受污染,維持分析結(jié)果的準(zhǔn)確性和重復(fù)性。

樣品制備平臺(tái):包括壓片機(jī)和拋光設(shè)備,用于將硅粉制成均勻試樣,避免表面不均勻?qū)е碌臋z測(cè)誤差。

校準(zhǔn)標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì):含有已知濃度雜質(zhì)的硅基標(biāo)準(zhǔn)品,用于GDMS儀器校準(zhǔn)和定量分析,保證檢測(cè)數(shù)據(jù)的溯源性。

真空系統(tǒng)組件:由泵組和真空計(jì)構(gòu)成,維持GDMS分析室的高真空狀態(tài),減少背景干擾并提高檢測(cè)靈敏度。

檢測(cè)流程

1、咨詢:提品資料(說(shuō)明書、規(guī)格書等)

2、確認(rèn)檢測(cè)用途及項(xiàng)目要求

3、填寫檢測(cè)申請(qǐng)表(含公司信息及產(chǎn)品必要信息)

4、按要求寄送樣品(部分可上門取樣/檢測(cè))

5、收到樣品,安排費(fèi)用后進(jìn)行樣品檢測(cè)

6、檢測(cè)出相關(guān)數(shù)據(jù),編寫報(bào)告草件,確認(rèn)信息是否無(wú)誤

7、確認(rèn)完畢后出具報(bào)告正式件

8、寄送報(bào)告原件

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